村田製作所（Murata Manufacturing）發表超低功耗PIR感測晶片pirhome.com2025年3月26日熱感資訊 日本村田推出「PIR-LE系列」晶片，功耗僅0.15mW，較前代降低50%。該晶片採用雙元紅外線探測結構，可偵測3至10公尺範圍移動，鎖定穿戴裝置與智慧農業應用，現已接受樣品申請。 上一 文章 德州儀器（Texas Instruments）推出車用PIR感測整合方案 下一 文章 意法半導體（STMicroelectronics）與西門子合作開發工業級PIR 相關文章 InfraTec推出靜電驅動可調波長感測器，氣體分析精準度突破2025年8月17日 MIT研發10奈米原子級熱釋電薄膜，夜視設備邁入無冷卻時代2025年8月17日 YOLE報告：熱電堆感測器加速替代熱釋電技術，AI驅動成關鍵2025年8月17日
