首頁 PIR資訊 村田製作所(Murata Manufacturing)發表超低功耗PIR感測晶片 村田製作所(Murata Manufacturing)發表超低功耗PIR感測晶片2025年3月26日PIR資訊 日本村田推出「PIR-LE系列」晶片,功耗僅0.15mW,較前代降低50%。該晶片採用雙元紅外線探測結構,可偵測3至10公尺範圍移動,鎖定穿戴裝置與智慧農業應用,現已接受樣品申請。 上一 文章 德州儀器(Texas Instruments)推出車用PIR感測整合方案 下一 文章 意法半導體(STMicroelectronics)與西門子合作開發工業級PIR 相關文章 韓國5G智慧工廠 熱釋電感測器實現人員協作安全2025年11月24日 澳洲山火預防系統 熱釋電感測器扮演關鍵角色2025年11月24日 北美工業4.0應用 熱釋電感測器實現預測性維護2025年11月24日