美國麻省理工學院團隊成功開發超薄熱釋電材料生長技術，製作出厚度僅10奈米的PMN-PT熱釋電薄膜。此技術無需中間層輔助，直接於單晶基底生長後完整剝離，關鍵在於鉛原子有序排列形成高電子親和力結構。該薄膜對遠紅外光譜靈敏度超越現行夜視設備，實驗中100個熱敏像素陣列（每像素60平方微米）可精準捕捉細微溫度波動，未來將應用於輕量化夜視鏡、自駕車低光視覺強化及氣體汙染監測。此突破同步發表於《Nature》，預計推動可穿戴感測器微型化革命。
美國麻省理工學院團隊成功開發超薄熱釋電材料生長技術，製作出厚度僅10奈米的PMN-PT熱釋電薄膜。此技術無需中間層輔助，直接於單晶基底生長後完整剝離，關鍵在於鉛原子有序排列形成高電子親和力結構。該薄膜對遠紅外光譜靈敏度超越現行夜視設備，實驗中100個熱敏像素陣列（每像素60平方微米）可精準捕捉細微溫度波動，未來將應用於輕量化夜視鏡、自駕車低光視覺強化及氣體汙染監測。此突破同步發表於《Nature》，預計推動可穿戴感測器微型化革命。